型號: | BAW27 |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | Silicon Epitaxial Planar Diode |
中文描述: | 硅外延平面二極管 |
文件頁數(shù): | 3/3頁 |
文件大小: | 34K |
代理商: | BAW27 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BAW56-GS08 | DIODE 0.25 A, 70 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode |
BAW56-V-GS08 | DIODE 0.25 A, 70 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode |
BAW56-V-GS18 | DIODE 0.25 A, 70 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode |
BAW75-TR | DIODE 0.15 A, 35 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-2, Signal Diode |
BAW76-TR | BAW76 Small Signal Fast Switching Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BAW27_12 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Switching Diode |
BAW27-TAP | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 75 Volt 200mA 4.0 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
BAW27-TR | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 75 Volt 200mA 4.0 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
BAW56 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) Dual,Switching,CA 215mA,75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
BAW56 /T3 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |