參數資料
型號： BAW27
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon Epitaxial Planar Diode
中文描述： 硅外延平面二極管
文件頁數： 2/3頁
文件大?。?/td> 34K
代理商： BAW27
BAW27
Vishay Telefunken
Rev. 2, 01-Apr-99
2 (3)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85548
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
Type
Symbol
V
F
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
V
(BR)
C
D
t
rr
Min
Typ
0.67
0.8
0.95
1.12
Max
0.75
0.85
1.0
1.25
100
50
Unit
V
V
V
V
nA
A
V
pF
ns
I
F
=10mA
I
F
=50mA
I
F
=200mA
I
F
=400mA
V
R
=60V
V
R
=60V, T
j
=100 C
I
R
=5 A, t
p
/T=0.01, t
p
=0.3ms
V
R
=0, f=1MHz, V
HF
=50mV
I
F
=I
R
=10...100mA, i
R
=0.1xI
R
Reverse current
Breakdown voltage
Diode capacitance
Reverse recovery time
75
4
6
Dimensions in mm
Cathode Identification
1.7 max.
0.55 max.
3.9 max.
26 min.
technical drawings
according to DIN
specifications
94 9366
Standard Glass Case
54 A 2 DIN 41880
JEDEC DO 35
Weight max. 0.3g
26 min.
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PDF描述
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