參數(shù)資料
型號(hào)： BAW56-V-GS18
廠(chǎng)商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 激光器
英文描述： DIODE 0.25 A, 70 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode
中文描述： Diodes (General Purpose, Power, Switching) Dual 70 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 81K
代理商： BAW56-V-GS18
BAW56-G
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Rev. 1.1, 25-Jun-13
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www.vishay.com/doc91000
1
Document Number: 85872
Small Signal Switching Diode, Dual
MECHANICAL DATA
Case:
SOT-23
Weight:
approx. 8.1 mg
Packaging codes/options:
18/10K per 13” reel (8 mm tape), 10K(/box
08/3K per 7” reel (8 mm tape), 15K/box
FEATURES
Silicon epitaxial planar diode
Fast switching dual diode with common anode
AEC-Q101 qualified
Base P/N-G3 - green, commercial grade
Material categorization:
For definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc99912
Note
(1)
Device on fiberglass substrate
1
3
2
PARTS TABLE
PART
BAW56-G
ORDERING CODE
BAW56-G3-08 or BAW56-G3-18
INTERNAL CONSTRUCTION
Dual diodes common anode
TYPE MARKING
JDG
REMARKS
Tape and reel
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Repetitive peak reverse voltage
= working peak reverse voltage
= DC blocking voltage
Forward continuous current
TEST CONDITION
SYMBOL
VALUE
UNIT
V
R
= V
RRM
70
V
I
F
250
2
1
0.5
350
mA
A
A
A
mW
Non repetitive peak forward current
t
p
= 1 μs
t
p
= 1 ms
t
p
= 1 s
I
FSM
I
FSM
I
FSM
P
tot
Power dissipation
(1)
THERMAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Thermal resistance junction to ambient air
Junction temperature
Storage temperature range
Operating temperature range
TEST CONDITION
SYMBOL
R
thJA
(1)
T
j
T
stg
T
op
VALUE
430
150
- 65 to + 150
- 55 to + 150
UNIT
K/W
°C
°C
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BAW75-TR DIODE 0.15 A, 35 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-2, Signal Diode
BAW76-TR BAW76 Small Signal Fast Switching Diode
BAW76-TAP Diode Small Signal Switching 75V 0.15A 2-Pin DO-35 Ammo
BAW76 Silicon Epitaxial Planar Diode
BAW76 High Speed Computer Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BAW56W 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:DIODE SS DUAL 75V 0.15A SOT323-3 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE DUAL SW 90V 0.15A SOT323 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:DIODE, SS, DUAL, 75V, 0.15A, SOT323-3 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, DUAL SW, 90V, 0.15A, SOT323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, DUAL SW, 90V, 0.15A, SOT323; Diode Type:Ultrafast Recovery; Forward Current If(AV):150mA; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:90V; Forward Voltage VF Max:1.25V; Reverse Recovery Time trr Max:4ns; Forward Surge Current Ifsm ;RoHS Compliant: Yes
BAW56W _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BAW56W,115 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) 75V 150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAW56W,135 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) Diode Switching 90V 0.15A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAW56W/DG/B2,115 功能描述:DIODE ARRAY GP 90V 150MA SC70 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管配置:1 對(duì)共陽(yáng)極 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:90V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:150mA（DC） 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 工作溫度 - 結(jié):150°C（最大） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SC-70 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
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