參數(shù)資料
型號(hào)： BAW101
廠(chǎng)商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 參考電壓二極管
英文描述： High voltage double diode
中文描述： 0.25 A, 300 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 127K
代理商： BAW101
2003 May 13
5
NXP Semiconductors
Product data sheet
High voltage double diode
BAW101
handbook, full pagewidth
MBG703
10
tp (
μ
s)
1
IFSM
(A)
2
10
1
10
4
10
2
10
3
10
1
Fig.4 Maximum permissible non-repetitive peak forward current as a function of pulse duration.
Based on square wave currents.
T
j
= 25
°
C prior to surge.
handbook, halfpage
IR
(
μ
A)
200
100
50
0
150
2
10
1
10
1
10
2
MLE058
(1)
(2)
Tj (
°
C)
Fig.5
Reverse current as a function of junction
temperature.
(1) V
R
= V
RMAX
: maximum values.
(2) V
R
= V
RMAX
: typical values.
handbook, halfpage
Cd
(pF)
0
2
10
0.5
0.3
0.2
0.4
4
VR (V)
6
8
MLE059
Fig.6
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C.
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