參數(shù)資料
型號(hào)： BAW101
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： High voltage double diode
中文描述： 0.25 A, 300 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 127K
代理商： BAW101
2003 May 13
4
NXP Semiconductors
Product data sheet
High voltage double diode
BAW101
THERMAL CHARACTERISTICS
Notes
1.
2.
One or more diodes loaded.
Device mounted on an FR4 printed-circuit board, cathode-lead mounting pad = 1 cm
2
.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-s
R
th j-a
thermal resistance from junction to soldering point
thermal resistance from junction to ambient
note 1
note 2
255
357
K/W
K/W
GRAPHICAL DATA
handbook, halfpage
0
(1)
(2)
50
100
Tamb (
°
C)
IF
(mA)
200
0
100
200
150
MLE057
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
Cathode-lead mounting pad = 1 cm
.
Fig.2
Maximum permissible continuous forward
current as a function of ambient
temperature.
(1) Single diode loaded.
(2) Double diode loaded.
handbook, halfpage
0
2
IF
(mA)
0
200
400
MBG384
1
VF (V)
(1)
(3)
(2)
(1) T
j
= 150
°
C; typical values.
(2) T
j
= 25
°
C; typical values.
(3) T
j
= 25
°
C; maximum values.
Fig.3
Forward current as a function of forward
voltage.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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