參數(shù)資料
型號(hào)： ATF-58143-BLKG
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, SC-70, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 232K
代理商： ATF-58143-BLKG
4
ATF-58143 Typical Performance Curves
3V
4V
3V
4V
3V
4V
3V
4V
Figure 7. Fmin vs. Ids and Vds Tuned for
Max OIP3 and Fmin at 2 GHz.
Ids (mA)
Fmin
(dB)
0
70
10
20
30
40
50
60
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
Figure 8. Fmin vs. Ids and Vds Tuned for
Max OIP3 and Fmin at 900 MHz.
Ids (mA)
Fmin
(dB)
0
70
10
20
30
40
50
60
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
Figure 9. Gain vs. Ids and Vds Tuned for
Max OIP3 and Fmin at 2 GHz.
Ids (mA)
GAIN
(dB)
0
70
10
20
30
40
50
60
19
18
17
16
15
14
13
12
Figure 10. Gain vs. Ids and Vds Tuned for
Max OIP3 and Fmin at 900 MHz.
Ids (mA)
GAIN
(dB)
0
70
10
20
30
40
50
60
25
24
23
22
21
20
19
18
Figure 11. OIP3 vs. Ids and Vds Tuned for
Max OIP3 and Fmin at 2 GHz.
Ids (mA)
OIP3
(dBm)
0
70
10
20
30
40
50
60
42
37
32
27
22
17
12
3V
4V
Figure 12. OIP3 vs. Ids and Vds Tuned for
Max OIP3 and Fmin at 900 MHz.
Ids (mA)
OIP3
(dBm)
0
70
10
20
30
40
50
60
40
35
30
25
20
15
3V
4V
Figure 6. Close-up of Production Test Board.
C4
J2
C2
L1
C5
ATF-58143
S
AVAGO
TECHNOLOGIES
C3
J1
G
S
C1
R1
C1
: 2.7 pF Cap (0603)
: 1 pF Cap (0603)
: 1200 pF Cap (0603)
: 120 pF Cap (0402)
: 1200 pF Cap (0603)
: 49.9 Ohm (0603)
: 56 nH (0603)
: 0 Ohm, Jumper (0805)
: 0 Ohm, Jumper (0402)
C2
C3
C4
C5
R1
L1
J1
J2
J3
J4
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ATF-58143-TR1G C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
ATP101 25 A, 30 V, 0.03 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP102 40 A, 30 V, 0.0185 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP103 55 A, 30 V, 0.013 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP103 55 A, 30 V, 0.013 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ATF-58143-BLKG 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor
ATF-58143-TR1 制造商:AGILENT 制造商全稱(chēng):AGILENT 功能描述:Low Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package
ATF-58143-TR1G 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs Single Voltage RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類(lèi)型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
ATF-58143-TR2 制造商:AGILENT 制造商全稱(chēng):AGILENT 功能描述:Low Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package
ATF-58143-TR2G 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs Single Voltage RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類(lèi)型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*