參數(shù)資料
型號： AT41532
英文描述： NPN SILICON TRANSISTOR
中文描述： NPN硅晶體管
文件頁數(shù)： 9/14頁
文件大?。?/td> 146K
代理商： AT41532
AT-41532 Typical Scattering Parameters,
Common Emitter, Z
O
= 50
, V
CE
= 5 V, I
C
= 5 mA
Freq.
S
11
S
21
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
0.5
0.402
-98
17.27
7.303
0.75
0.304
-124
14.42
5.260
1.0
0.255
-147
12.25
4.095
1.5
0.225
178
9.09
2.848
2.0
0.227
151
6.92
2.218
3.0
0.256
111
4.06
1.596
4.0
0.301
79
2.22
1.291
5.0
0.359
53
0.92
1.111
6.0
0.414
36
-0.02
0.997
7.0
0.457
22
-0.60
0.933
8.0
0.496
10
-1.00
0.891
9.0
0.531
-4
-1.42
0.849
10.0
0.573
-19
-1.89
0.805
11.0
0.633
-28
-2.40
0.759
12.0
0.696
-38
-3.32
0.682
S
12
Mag
0.044
0.056
0.069
0.097
0.131
0.214
0.319
0.443
0.577
0.711
0.809
0.854
0.847
0.792
0.739
S
22
Ang
107
92
82
65
52
28
dB
-27.15
-25.04
-23.26
-20.23
-17.66
-13.38
-9.92
-7.07
-4.78
-2.97
-1.84
-1.37
-1.44
-2.03
-2.63
Ang
60
61
63
66
65
59
48
33
16
-4
-26
-49
-69
-88
-105
Mag
0.713
0.663
0.640
0.621
0.613
0.603
0.592
0.562
0.498
0.401
0.344
0.374
0.441
0.516
0.624
Ang
-19
-21
-23
-28
-34
-51
-69
-92
-120
-156
154
105
67
38
8
-10
-26
-40
-55
-70
-85
-95
-113
8
AT-41532 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Z
O
= 50
, V
CE
= 5 V, I
C
= 5 mA
Freq.
F
min
GHz
dB
R
n
G
assoc
dB
Mag
0.29
0.41
0.44
0.53
0.60
0.67
0.71
Ang
110
-167
-153
-127
-106
-86
-70
ohms
0.9
1.8
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
1.1
1.4
1.5
1.7
1.9
2.2
2.4
7.0
3.9
4.7
9.3
18.6
36.8
59.5
14.8
11.3
10.5
9.3
8.4
7.5
6.7
Figure 14. Gain vs. Frequency at
5 V, 5 mA.
Note: dB(|S
21
|) = 20*log(|S
21
|)
Γ
opt
gmax
dB(S|2,1|)
k
-5
25
15
20
5
0
10
0
2
1
3
4
5
6
G
(
0
1.2
0.8
1
0.2
0.4
0.6
k
FREQUENCY (GHz)
gmax = maximum available gain (MAG) if k > 1
gmax = maximum stable gain (MSG) if k < 1
k = stability factor
21
(k
±
√
k
2
–1)
MAG = S
12
MSG = |S
21
|/|S
12
|
k = 1 – |S
11
|
2
– |S
22
|
2
+ |D|
2
; D = S
11
S
22 –
S
12
S
21
2*|S
12
||S
21
|
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