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參數(shù)資料
| 型號： | AT41532 |
| 英文描述： | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 7/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 146K |
| 代理商： | AT41532 |
AT-41532 Typical Scattering Parameters,
Common Emitter, Z
O
= 50
, V
CE
= 2. 7 V, I
C
= 10 mA
Freq.
S
11
S
21
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
0.5
0.243
-122
18.39
8.310
0.75
0.199
-149
15.19
5.751
1.0
0.184
-169
12.88
4.408
1.5
0.186
161
9.64
3.034
2.0
0.199
139
7.44
2.354
3.0
0.232
107
4.61
1.700
4.0
0.275
79
2.84
1.387
5.0
0.334
56
1.60
1.202
6.0
0.399
41
0.66
1.079
7.0
0.462
27
-0.02
0.997
8.0
0.521
14
-0.67
0.926
9.0
0.566
-2
-1.26
0.865
10.0
0.609
-18
-1.88
0.805
11.0
0.678
-28
-2.97
0.711
-101
12.0
0.722
-39
-3.38
0.678
-116
S
12
Mag
0.045
0.063
0.082
0.121
0.162
0.253
0.355
0.465
0.576
0.684
0.764
0.805
0.802
0.766
0.706
S
22
dB
-26.90
-23.99
-21.74
-18.35
-15.79
-11.93
-9.00
-6.66
-4.79
-3.30
-2.34
-1.89
-1.92
-2.32
-3.02
Ang
68
69
69
67
63
52
39
24
Mag
0.586
0.552
0.536
0.520
0.510
0.491
0.467
0.424
0.349
0.261
0.251
0.328
0.422
0.485
0.620
Ang
-21
-21
-23
-28
-35
-52
-72
-95
-125
-167
134
88
56
29
97
85
76
62
49
27
6
-12
-29
-45
-60
-75
-90
7
-12
-32
-52
-72
-91
-106
3
Figure 12. Gain vs. Frequency at
2.7 V, 10 mA.
Note: dB(|S
21
|) = 20*log(|S
21
|)
gmax
dB(S|2,1|)
k
0
25
15
20
5
10
0
2
1
3
4
5
6
G
(
0
1.25
0.75
1
0.25
0.5
k
FREQUENCY (GHz)
gmax = maximum available gain (MAG) if k > 1
gmax = maximum stable gain (MSG) if k < 1
k = stability factor
21
(k
±
√
k
2
–1)
MAG = S
12
MSG = |S
21
|/|S
12
|
k = 1 – |S
11
|
2
– |S
22
|
2
+ |D|
2
; D = S
11
S
22 –
S
12
S
21
2*|S
12
||S
21
|
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PDF描述 |
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| AT-635PIN | Vo l t age Va r i a ble Absorptive Attenu a t o r, 35 dB DC - 2 GHz |
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參數(shù)描述 |
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| AT-41532-TR1G | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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