參數(shù)資料
型號： AT41532
英文描述： NPN SILICON TRANSISTOR
中文描述： NPN硅晶體管
文件頁數(shù)： 13/14頁
文件大?。?/td> 146K
代理商： AT41532
Tape Dimensions and Device Orientation,
continued
For Outline SOT-323 (SC-70 3 Lead)
DESCRIPTION
SYMBOL
SIZE (MM)
2.41
±
0.10
0.99
2.41
±
0.10
1.91
1.19
±
0.10
0.05
3.99
±
0.10
0.99
±
0.25
1.55
±
0.05
3.99
±
0.10
1.75
±
0.10
8.00
±
0.30
0.254
±
0.013
5.21
±
0.10
0.063
±
0.001
3.51
±
0.05
SIZE (INCHES)
0.095
±
0.004
0.039
0.095
±
0.004
0.075
0.047
±
0.004
0.020
0.157
±
0.004
0.039
±
0.010
0.061
±
0.002
0.157
±
0.004
0.069
±
0.004
0.315
±
0.012
0.010
±
0.0005
0.205
±
0.004
0.0025
±
0.00004
0.138
±
0.002
CAVITY
LENGTH
A
0
A1
B
0
B1
K
0
K
1
P
D
1
D
P
0
E
W
t
1
C
T
t
F
WIDTH
DEPTH
PITCH
BOTTOM HOLE DIAMETER
DIAMETER
PITCH
POSITION
PERFORATION
CARRIER TAPE WIDTH
THICKNESS
WIDTH
TAPE THICKNESS
CAVITY TO PERFORATION
(WIDTH DIRECTION)
CAVITY TO PERFORATION
(LENGTH DIRECTION)
COVER TAPE
DISTANCE
P
2
2.01
±
0.05
0.079
±
0.002
B
1
K
0
P
2
P
0
D
1
K
1
A
0
A
1
C
P
T
t
(COVER TAPE
THICKNESS)
t
1
(CARRIER TAPE
THICKNESS)
W
F
E
D
B
0
8
°
MAX.
8
°
MAX.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AT-42000 Up to 6 GHz Medium Power Up to 6 GHz Medium Power
AT-42000-GP4 Up to 6 GHz Medium Power Up to 6 GHz Medium Power
AT-635 Vo l t age Va r i a ble Absorptive Attenu a t o r, 35 dB DC - 2 GHz
AT-635PIN Vo l t age Va r i a ble Absorptive Attenu a t o r, 35 dB DC - 2 GHz
AT-635TR Vo l t age Va r i a ble Absorptive Attenu a t o r, 35 dB DC - 2 GHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AT-41532 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:General purpose transistor
AT-41532-BLK 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR
AT-41532-BLKG 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
AT-41532-TR1 功能描述:IC TRANS NPN GP BIPOLAR SOT-323 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
AT-41532-TR1G 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*