參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF90VDA60T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 204K
代理商： APTGF90VDA60T3G
APTGF90VDA60T3G
APTGF90VDA60
T
3G
–
Rev
0
S
ep
tembe
r,
2009
www.microsemi.com
4- 5
Typical IGBT Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
40
80
120
160
200
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
VCE (V)
I C
(A)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=12V
VGE=20V
VGE=9V
0
25
50
75
100
125
150
175
200
01
23
45
VCE (V)
I C
(A)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
5
6
7
8
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
0
1
2
3
4
5
0
25
50
75 100 125 150 175 200
IC (A)
E
(
m
J)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 2.2
TJ = 125°C
Eon
Eoff
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
02
46
8
10
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 300V ; VGE =15V
IC = 100A ; TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Safe Operating Area
0
50
100
150
200
250
0
100
200
300
400
500
600
VCE (V)
I C
(A)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=2.2
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
a
lImpe
da
nc
e
(
°C
/W
)
IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGL325SK120D3G IGBT
APTGL475DA120D3G IGBT
APTGL700U120D4G 910 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100DA120T1G 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100DU60T 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF90X60E3 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF90X60E3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF90X60TE3 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF90X60TE3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGFQ25H120T2G 功能描述:IGBT 1200V 40A 227W MODULE RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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