參數(shù)資料
型號： APTGL325SK120D3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, D3, 11 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 209K
代理商： APTGL325SK120D3G
APTGL325SK120D3G
APT
G
L
325SK120
D3G
–
Rev
0
Septem
ber
,2008
www.microsemi.com
1- 5
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
TC = 25°C
420
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
325
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
600
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
1500
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 125°C
600A @ 1100V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
See application note APT0502 on www.microsemi.com
2
1
5
Q1
3
4
VCES = 1200V
IC = 325A @ Tc = 80°C
Application
AC and DC motor control
Switched Mode Power Supplies
Features
Trench + Field Stop IGBT 4 Technology
-
Low voltage drop
-
Low leakage current
-
Low switching losses
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
High level of integration
M6 power connectors
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
RoHS Compliant
Buck Chopper
Trench + Field Stop IGBT4
Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGL475DA120D3G IGBT
APTGL700U120D4G 910 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100DA120T1G 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100DU60T 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100DU60T 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGL40H120T1G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGL40X120T3AMG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:APTGL40X120T3AMG - Bulk
APTGL40X120T3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT 1200V 65A SP3
APTGL475A120D3G 功能描述:POWER MOD MOSFET 4PHASE LEG D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGL475DA120D3G 功能描述:IGBT 1200V 610A 2080W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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