參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF90SK60T1G
廠(chǎng)商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大小： 313K
代理商： APTGF90SK60T1G
APTGF90SK60T1G
APTG
F90SK60T1
G
–
Re
v0
Augus
t,2007
www.microsemi.com
4 – 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
01
23
4
Ic
,C
o
lle
ct
or
C
u
rr
ent
(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
01
23
4
Ic
,C
o
lle
c
to
rC
u
rre
n
t
(A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
01
23
4
5
67
89
10
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,C
o
ll
ec
to
r
C
u
rre
n
t
(A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=180A
Ic=90A
Ic=45A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
6
8
10
12
14
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
V
CE
,C
o
lle
ct
o
rt
o
E
m
it
te
rVo
lt
ag
e(
V
)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
TJ = 25°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=180A
Ic=90A
Ic=45A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,
C
o
lle
ct
o
rt
o
Emi
tt
er
Vo
lt
ag
e
(V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
C
o
ll
ect
o
rt
o
E
m
it
ter
B
reakdow
n
Vo
ltage
(
N
orm
al
iz
ed)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
20
40
60
80
100
120
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,DC
Col
lect
or
Curren
t
(A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
Gate Charge
VCE=120V
VCE=300V
VCE=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
50
100
150
200
250
300
350
Gate Charge (nC)
V
GE
,G
ate
to
E
m
it
te
rV
o
lt
ag
e(
V
)
IC = 90A
TJ = 25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF90VDA60T3G 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGL325SK120D3G IGBT
APTGL475DA120D3G IGBT
APTGL700U120D4G 910 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100DA120T1G 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF90SK60T3AG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module Power Module
APTGF90SK60TG 功能描述:IGBT 600V 110A 416W SP4 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF90TA60P 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Triple phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF90TA60PG 功能描述:IGBT MODULE NPT TRPL PHASE SP6P RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF90TDU60P 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Triple dual Common Source NPT IGBT Power Module
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