參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF90H60T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 240K
代理商： APTGF90H60T3G
APTGF90H60T3G
APT
G
F90H60T
3G
–
Rev
1
Apr
il,
2009
www.microsemi.com
2- 7
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Tj = 25°C
250
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 600V
Tj = 125°C
500
A
Tj = 25°C
1.7
2.0
2.45
VCE(on)
Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 100A
Tj = 125°C
2.2
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 2mA
4
6
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
4400
Coes
Output Capacitance
645
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
401
pF
Qg
Total gate Charge
331
Qge
Gate – Emitter Charge
40
Qgc
Gate – Collector Charge
VGE = 15V
VBus = 300V
IC =100A
200
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
40
Tr
Rise Time
9
Td(off)
Turn-off Delay Time
120
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 100A
RG = 1.2Ω
15
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
42
Tr
Rise Time
10
Td(off)
Turn-off Delay Time
130
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 100A
RG = 1.2Ω
22
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 125°C
1
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 100A
RG = 1.2Ω
Tj = 125°C
2
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 360V
tp ≤ 10s ; Tj = 125°C
450
A
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
35
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 125°C
600
A
IF
DC Forward Current
Tc = 90°C
60
A
IF = 60A
1.8
2.2
IF = 120A
2.2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 60A
Tj = 150°C
1.5
V
Tj = 25°C
25
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
160
ns
Tj = 25°C
70
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 60A
VR = 400V
di/dt =400A/s
Tj = 125°C
960
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF90SK60T1G 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90VDA60T3G 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGL325SK120D3G IGBT
APTGL475DA120D3G IGBT
APTGL700U120D4G 910 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF90H60TG 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF90SK60D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF90SK60D1G 功能描述:IGBT 600V 130A 445W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF90SK60T1G 功能描述:IGBT 600V 110A 416W SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF90SK60T3AG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module Power Module
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