參數(shù)資料
型號： APTGF50A120T1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 317K
代理商： APTGF50A120T1G
APTGF50A120T1G
APTG
F50A120T1G
–
R
ev
0
A
ugus
t,200
7
www.microsemi.com
4 – 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
40
80
120
160
02
46
8
Ic,
C
o
ll
ec
tor
C
u
rr
ent
(A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
012
34
Ic,
C
o
ll
ec
to
r
C
u
rre
nt
(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
04
8
12
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,C
o
ll
ec
to
r
C
u
rr
en
t(
A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Gate Charge
VCE=240V
VCE=600V
VCE=960V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
50
100
150
200
250
300
350
Gate Charge (nC)
V
GE
,
G
at
et
o
E
m
it
te
rVo
lt
ag
e(
V
)
IC = 50A
TJ = 25°C
Ic=100A
Ic=50A
Ic=25A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
101112
13141516
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
V
CE
,C
o
ll
ec
to
r
to
E
m
itte
r
V
o
lt
ag
e(V
)
TJ = 25°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=100A
Ic=50A
Ic=25A
0
1
2
3
4
5
6
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,Col
lect
o
rto
E
m
itte
rV
o
lt
ag
e
(V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
Col
le
ct
o
rto
E
m
itte
rBr
ea
kd
o
w
n
V
o
lt
ag
e
(N
ormali
zed)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
60
70
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,
DC
Co
ll
ec
to
rCu
rr
en
t(A)
DC Collector Current vs Case Temperature
相關PDF資料
PDF描述
APTGF50A120T3WG 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50DDA60T3G 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50DSK120T3G 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50H60T3G 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50H60T3 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF50A120T3WG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF50A120TG 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGF50A60T1G 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGF50DA120CT1G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - SIC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR
APTGF50DA120T1G 功能描述:IGBT 1200V 75A 312W SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*