參數(shù)資料
型號： APTGF50A120T1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 317K
代理商： APTGF50A120T1G
APTGF50A120T1G
APTG
F50A120T1G
–
R
ev
0
A
ugus
t,200
7
www.microsemi.com
2 – 6
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Tj = 25°C
250
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 1200V
Tj = 125°C
500
A
Tj = 25°C
3.2
3.7
VCE(sat)
Collector Emitter saturation Voltage
VGE =15V
IC = 50A
Tj = 125°C
4.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 1 mA
4.5
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20 V, VCE = 0V
100
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
3450
Coes
Output Capacitance
330
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
220
pF
Qg
Total gate Charge
330
Qge
Gate – Emitter Charge
35
Qgc
Gate – Collector Charge
VGS = 15V
VBus = 600V
IC = 50A
200
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
35
Tr
Rise Time
65
Td(off)
Turn-off Delay Time
320
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 50A
RG = 5
30
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
35
Tr
Rise Time
65
Td(off)
Turn-off Delay Time
360
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 50A
RG = 5
40
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 125°C
6.9
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 50A
RG = 5
Tj = 125°C
3.05
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
150
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
600
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
60
A
IF = 60A
2.6
3.1
IF = 120A
3.2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 60A
Tj = 125°C
1.8
V
Tj = 25°C
300
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
380
ns
Tj = 25°C
720
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 60A
VR = 800V
di/dt =400A/s
Tj = 125°C
3400
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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APTGF50H60T3G 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50H60T3 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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