參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF50A120T1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 317K
代理商： APTGF50A120T1G
APTGF50A120T1G
APTG
F50A120T1G
–
R
ev
0
A
ugus
t,200
7
www.microsemi.com
1 – 6
9
Q2
Q1
10
12
2
1
7
8
11
3
4
CR1
CR2
56
NTC
Pins 1/2 ; 3/4 ; 5/6 must be shorted together
Absolute maximum ratings
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note
APT0502 on www.microsemi.com
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
Tc = 25°C
75
IC
Continuous Collector Current
Tc = 80°C
50
ICM
Pulsed Collector Current
Tc = 25°C
150
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
Tc = 25°C
312
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 150°C
100A @ 1200V
Application
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Motor control
Features
Non Punch Through (NPT) Fast IGBT
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 50 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
RBSOA and SCSOA rated
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
Internal thermistor for temperature monitoring
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency operation
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Solderable terminals both for power and signal for
easy PCB mounting
Low profile
RoHS Compliant
Phase leg
NPT IGBT Power Module
VCES = 1200V
IC = 50A @ Tc = 80°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF50A120T3WG 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50DDA60T3G 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50DSK120T3G 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50H60T3G 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50H60T3 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APTGF50A120TG 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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