參數(shù)資料
型號(hào)： APT75GT120JRDQ3
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Thunderbolt IGBT
中文描述： IGBT的霹靂
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大?。?/td> 460K
代理商： APT75GT120JRDQ3
0
APT75GT120JRDQ3
400
350
300
250
200
150
100
50
0
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
Duty cycle = 0.5
T
J
= 175
°
C
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Figure 29. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
T
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Case Temperature (
°
C)
Figure 30. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
V
, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 31. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
Figure 27. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Q
r
,
I
F
,
(
(
I
R
,
t
r
,
(
(
T
J
= 125
°
C
V
R
= 800V
T
J
= 125
°
C
V
R
= 800V
T
J
= 125
°
C
V
R
= 800V
T
J
= 175
°
C
T
J
= -55
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
Figure 25. Forward Current vs. Forward Voltage
0
1
2
3
4
0
-di
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/
μ
s)
Figure 26. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
200
400
600
800
1000
1200
0
-di
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/
μ
s)
200
400
600
800
1000
1200
0
-di
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/
μ
s)
Figure 28. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
200
400
600
800
1000
1200
30A
60A
120A
120A
30A
60A
t
rr
Q
rr
Q
rr
t
rr
I
RRM
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
350
300
250
200
150
100
50
0
C
J
,
K
f
,
(
(
μ
s
I
F
(
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100 200
120A
60A
30A
V
, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT75GT120JR Thunderbolt IGBT
APT75GT120JU3 ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT77N60JC3 Super Junction MOSFET
APT8011JFLL Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
APT8011 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
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參數(shù)描述
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APT75M50B2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT75M50B2_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
APT75M50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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