參數(shù)資料
型號： APT75GT120JRDQ3
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Thunderbolt IGBT
中文描述： IGBT的霹靂
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 460K
代理商： APT75GT120JRDQ3
0
APT75GT120JRDQ3
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
200
V
GE
= 15V
V
G
,
V
C
,
I
C
,
I
C
,
(
I
C
D
V
C
,
V
G
,
I
C
,
V
CE
= 480V
V
CE
= 300V
V
CE
= 120V
I
C
= 75A
T
J
= 25°C
250μs PULSE
TEST<0.5 % DUTY
CYCLE
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
140
120
100
80
60
40
20
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
6
5
4
3
2
1
0
140
120
100
80
60
40
20
0
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(V
GE
= 15V)
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 2, Output Characteristics (T
J
= 125°C)
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 4, Gate Charge
V
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
T
, Junction Temperature (°C)
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Threshold Voltage vs. Junction Temperature
T
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
T
C
= 125
°
C
10V
9V
8V
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C.
250μs PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C
= 150A
I
C
= 75A
I
C
= 37.5A
V
= 15V.
250μs PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C
= 150A
I
C
= 75A
I
C
= 37.5A
0
1
2
3
4
5
6
7
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
10
12
14
0
50
100
150
200
250
8
10
12
14
16
0
25
50
75
100
125
150
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
= 25°C
7V
11V
12V
13V
15V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT75GT120JR Thunderbolt IGBT
APT75GT120JU3 ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT77N60JC3 Super Junction MOSFET
APT8011JFLL Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
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參數(shù)描述
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