參數(shù)資料
型號(hào)： APT75GT120JRDQ3
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Thunderbolt IGBT
中文描述： IGBT的霹靂
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 460K
代理商： APT75GT120JRDQ3
0
APT75GT120JRDQ3
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
4,000
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Z
θ
J
,
0.3
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
1,000
500
100
250
200
150
100
50
0
C
P
F
I
C
,
V
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
V
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
200
400
600
800 1000 1200 1400
Figure 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
15
25
35
45
55
65
75
F
M
,
I
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
50
10
5
3
C
oes
0.5
0.1
0.05
F
max
=
min (f
max
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
d(on)
+ t
r
+ t
d(off)
+ t
f
P
diss
- P
cond
E
on2
+ E
off
T
J
- T
C
R
θ
JC
f
max2
=
P
diss
=
T
J
= 125
°
C
T
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 400V
R
G
= 5
Peak T
J
= P
DM
x Z
θ
JC + TC
Duty Factor D =
t1
/
t2
t2
t1
P
D
Note:
C
res
C
ies
D = 0.9
0.0594
0.158
0.0436
0.0254
0.496
11.6
Power
(watts)
Junction
temp. (
°
C)
RC MODEL
Case temperature. (
°
C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT75GT120JR Thunderbolt IGBT
APT75GT120JU3 ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT77N60JC3 Super Junction MOSFET
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參數(shù)描述
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APT75M50B2_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
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