參數(shù)資料
型號: APT75GP120B2
廠商: Advanced Power Technology Ltd.
英文描述: POWER MOS 7 IGBT
中文描述: IGBT的功率MOS 7
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大?。?/td> 107K
代理商: APT75GP120B2
0
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
20,000
APT75GP120B2
10
30
50
70
90
110
130
150
140
100
50
10
.3
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x Z
θ
JC + TC
t1
t2
P
Z
θ
J
,
0.3
0.9
0.7
0.1
0.05
0.5
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19A, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10,000
1,000
500
100
50
10
350
300
250
200
150
100
50
0
C
P
F
I
C
,
F
M
,
V
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
V
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 18, Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
I
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector
Current
F
min(f
=
T
J
= 125
°
C
T
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 800V
R
G
= 5
Cies
Coes
max
max1
max2
max1
d(on)
P
E
T
R
θ
r
d(off)
f
diss
cond
P
E
+
max2
on2
off
J
C
diss
JC
,f
0.05
+
)
f
t
t
t
t
f
T
P
=
+
+
=
=
Cres
FIGURE 19B, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0.00792
0.0475
0.0656
0.00354F
0.0307F
0.361F
Power
(watts)
Junction
temp (
°
C)
RC MODEL
Case temperature (
°
C)
相關PDF資料
PDF描述
APT75GP120JDQ3 POWER MOS 7 IGBT
APT75GP120J POWER MOS 7 IGBT
APT75GT120JRDQ3 Thunderbolt IGBT
APT75GT120JR Thunderbolt IGBT
APT75GT120JU3 ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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APT75GP120J 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - SINGLE - Rail/Tube 制造商:Microsemi 功能描述:Microsemi APT75GP120J IGBTs 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR 制造商:Microsemi 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227
APT75GP120JDQ3 功能描述:IGBT 1200V 128A 543W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APT75GT120JR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Thunderbolt IGBT
APT75GT120JRDQ3 功能描述:IGBT 1200V 97A 480W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B