參數(shù)資料
型號： APT75GP120B2
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 107K
代理商： APT75GP120B2
0
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
160
APT75GP120B2
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(V
GE
= 15V)
250
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 2, Output Characteristics (V
GE
= 10V)
16
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 4, Gate Charge
V
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
1.2
T
, Junction Temperature (°C)
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
T
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
B
C
,
V
C
,
I
C
,
I
C
,
V
I
C
D
V
C
,
V
G
,
I
C
,
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
50
100
150
200
250
300
350
6
8
10
12
14
16
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
=125°C
T
C
=25°C
250 VGE = 10V.
<0.5 % DUTY CYCLE
140
250 VGE = 15V.
<0.5 % DUTY CYCLE
140
I
C
= 75A
T
J
= 25°C
TJ = 25°C
TJ = -55°C
TJ = 125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
250μs PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
120
100
80
60
40
20
0
200
150
100
50
0
5
4
3
2
1
0
1.15
1.10
1.05
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
160
120
100
80
60
40
20
0
14
12
10
8
6
4
2
0
5
4
3
2.0
1.0
0
300
250
200
150
100
50
0
V
CE
=960V
V
CE
=600V
V
CE
=240V
25 TJ = 25°C.
<0.5 % DUTY CYCLE
250 VGE = 15V.
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C
= 37.5A
I
C
= 75A
I
C
= 150A
I
C
= 150A
I
C
= 37.5A
I
C
= 75A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT75GP120JDQ3 POWER MOS 7 IGBT
APT75GP120J POWER MOS 7 IGBT
APT75GT120JRDQ3 Thunderbolt IGBT
APT75GT120JR Thunderbolt IGBT
APT75GT120JU3 ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APT75GP120J 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - SINGLE - Rail/Tube 制造商:Microsemi 功能描述:Microsemi APT75GP120J IGBTs 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR 制造商:Microsemi 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227
APT75GP120JDQ3 功能描述:IGBT 1200V 128A 543W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT75GT120JR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Thunderbolt IGBT
APT75GT120JRDQ3 功能描述:IGBT 1200V 97A 480W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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