參數(shù)資料
型號(hào)： APT75GP120B2
廠(chǎng)商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大小： 107K
代理商： APT75GP120B2
0
APT75GP120B2
T
J
=
125°C, V
GE
=
10V
or 15V
T
J
=
25°C, V
GE
=
10V
or 15V
V
CE
= 600V
R
= 5
L = 100 μH
V
GE
=
10V,T
J
=125°C
V
GE
= 15V
V
GE
= 10V
V
GE
=15V,T
J
=125°C
V
GE
=
10V,T
J
=25°C
V
GE
=
15V,T
J
=25°C
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
R
, GATE RESISTANCE (OHMS)
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
T
J
=
25 or 125°C,V
GE
=
15V
40
70
T
J
=
25 or 125°C,V
GE
=
10V
S
E
O
,
t
r
R
t
d
,
E
O
,
t
f
F
t
d
(
,
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
10
100
130
160
10
40
70
100
130
160
10
40
70
100
130
160
0
20
40
60
80
100
120 140
160
0
10
20
30
40
50
0
25
50
75
100
125
40
30
20
10
0
120
100
80
60
40
20
0
14000
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
20000
15000
10000
5000
350
300
250
200
150
100
50
0
160
140
120
100
80
60
40
20
0
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
15000
12500
10000
7500
5000
2500
0
V
CE
= 600V
T
J
R
= 5
L = 100 μH
R
G
=
5
, L
=
100
μ
H, V
CE
=
600V
R
G
=
5
, L
=
100
μ
H, V
CE
=
600V
T
J
=125°C, V
GE
=15V
T
J
=125°C,V
GE
=10V
T
J
= 25°C, V
GE
=10V
T
J
= 25°C, V
GE
=15V
E
off
150A
E
on2
150A
E
on2
37.5A
E
off
75A
E
on2
75A
E
off
37.5A
E
on2
37.5A
E
off
75A
E
on2
75A
E
on2
150A
E
off
150A
E
off
37.5A
V
= 600V
L = 100 μH
R
G
= 5
V
CE
= 600V
V
GE
= +15V
T
J
= 125°C
V
CE
= 600V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
T
J
=
25°C, V
GE
=
10V
or 15V
T
J
=
125°C, V
GE
=
10V
or 15V
V
CE
= 600V
L = 100 μH
R
G
= 5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT75GP120JDQ3 POWER MOS 7 IGBT
APT75GP120J POWER MOS 7 IGBT
APT75GT120JRDQ3 Thunderbolt IGBT
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APT75GT120JU3 ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
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APT75GP120J 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - SINGLE - Rail/Tube 制造商:Microsemi 功能描述:Microsemi APT75GP120J IGBTs 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR 制造商:Microsemi 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227
APT75GP120JDQ3 功能描述:IGBT 1200V 128A 543W SOT227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT75GT120JR 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Thunderbolt IGBT
APT75GT120JRDQ3 功能描述:IGBT 1200V 97A 480W SOT227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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