參數(shù)資料
型號(hào)： APT50N60JCU2
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 52 A, 600 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 150K
代理商： APT50N60JCU2
APT50N60JCU2
APT
50N60JCU2
–
Rev
2
Apr
il,
2008
www.microsemi.com
5- 6
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
25
50
75
100
125
150
TJ, Junction Temperature (°C)
Breakdown Voltage vs Temperature
BV
DS
S
,Drai
n
to
S
o
u
rce
B
reakd
o
w
n
V
o
lt
ag
e
(
N
o
rm
a
li
z
ed
)
ON resistance vs Temperature
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
25
50
75
100
125
150
TJ, Junction Temperature (°C)
R
DS
(o
n
),
Drai
n
to
So
u
rce
ON
resi
stance
(N
or
m
a
lize
d
)
VGS=10V
ID= 50A
Threshold Voltage vs Temperature
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
V
GS
(T
H
),
Thre
s
hold
Vo
lt
a
g
e
(N
or
m
a
lize
d
)
Maximum Safe Operating Area
10 ms
1 ms
100 s
1
10
100
1000
1
10
100
1000
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rren
t(
A
)
limited by RDSon
Single pulse
TJ=150°C
TC=25°C
Ciss
Crss
Coss
10
100
1000
10000
100000
0
1020
3040
50
VDS, Drain to Source Voltage (V)
C
,C
a
pa
c
it
a
nc
e
(
pF)
Capacitance vs Drain to Source Voltage
VDS=120V
VDS=300V
VDS=480V
0
2
4
6
8
10
12
0
20 40 60 80 100 120 140 160
Gate Charge (nC)
V
GS
,Gate
to
So
u
rce
V
o
lt
ag
e
(V
)
Gate Charge vs Gate to Source Voltage
ID=50A
TJ=25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT5545BN-GULLWING 17 A, 550 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
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APT6045BN-GULLWING 17 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT5540BN-GULLWING 18 A, 550 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT5540BN-BUTT 18 A, 550 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
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參數(shù)描述
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APT51M50J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
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