參數(shù)資料
型號： APT50N60JCU2
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 52 A, 600 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 150K
代理商： APT50N60JCU2
APT50N60JCU2
APT
50N60JCU2
–
Rev
2
Apr
il,
2008
www.microsemi.com
4- 6
Typical Performance Curve
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
e
rm
a
lImpe
da
nc
e
(
°C
/W)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
4V
4.5V
5V
5.5V
6V
6.5V
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
0
5
10
15
20
25
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rren
t
(A)
VGS=15&10V
Low Voltage Output Characteristics
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
100
120
140
01
2
3
45
67
VGS, Gate to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rren
t(
A
)
VDS > ID(on)xRDS(on)MAX
250s pulse test @ < 0.5 duty cycle
RDS(on) vs Drain Current
VGS=10V
VGS=20V
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
1.2
1.25
1.3
0
20
40
60
80
100 120 140
ID, Drain Current (A)
R
DS
(o
n
)Drai
n
to
S
o
urce
ON
R
esi
stan
ce
Normalized to
VGS=10V @ 50A
0
10
20
30
40
50
60
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
I D
,DC
Drain
Cu
rren
t(A)
DC Drain Current vs Case Temperature
相關PDF資料
PDF描述
APT5545BN-GULLWING 17 A, 550 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT6040BN-GULLWING 18 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT6045BN-GULLWING 17 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT5540BN-GULLWING 18 A, 550 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT5540BN-BUTT 18 A, 550 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
APT51F50J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:- 標準包裝:10 系列:*
APT51M50J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:- 標準包裝:10 系列:*
APT51M50J_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
APT53F80J 功能描述:MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:10 系列:*
APT53N60BC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 53A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:CoolMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*