參數(shù)資料
型號(hào)： AP9928GEO
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述： 5000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： LEAD FREE, TSSOP-8
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 81K
代理商： AP9928GEO
AP9928GEO
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
Fig 5. Forward Characteristic of
Reverse Diode
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
5
35
65
95
1
2
3
4
5
V
GS
, Gate-to-Source Voltage (V)
R
D
)
I
D
= 5A
T
A
=25
o
C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
1
2
3
4
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
T
A
=25
o
C
4.5V
3.5V
3.0V
2.5V
V
G
=2.0V
0
5
10
15
20
25
30
35
0
1
2
3
4
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
T
A
=150
o
C
4.5V
3.5V
3.0V
2.5V
V
G
=2.0V
0.3
0.7
1.1
1.5
1.9
-50
0
50
100
150
T
j
, Junction Temperature (
o
C)
N
D
I
D
= 5A
V
G
= 4.5V
0.01
0.1
1
10
0.2
0.5
0.8
1.1
V
SD
, Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
T
j
=150
o
C
0
0.4
0.8
1.2
1.6
-50
0
50
100
150
T
j
, Junction Temperature (
o
C)
V
G
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PDF描述
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AP9930M 2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENT
AP9934GM 2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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