參數(shù)資料
型號： AP9926O
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述： N溝道增強型功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： AP9926O
AP9926O
Fig 9. Gate Charge Characteristics
Fig 10. Typical Capacitance Characteristics
Fig 11. Forward Characteristic of
Reverse Diode
Fig 12. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
20
25
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
V
G
V
DS
=10V
V
DS
=15V
V
DS
=20V
I
D
=4.6A
10
100
1000
1
5
9
13
V
DS
(V)
17
21
25
29
C
f=1.0MHz
Ciss
Coss
Crss
0.01
0.1
1
10
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
SD
(V)
I
S
T
j
=25
o
C
T
j
=150
o
C
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
0
50
100
150
Junction Temperature (
o
C )
V
G
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PDF描述
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