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參數(shù)資料
| 型號： | AP9916H |
| 廠商： | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)模式 |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 91K |
| 代理商： | AP9916H |
AP9916H/J
Fig 9. Gate Charge Characteristics
Fig 10. Typical Capacitance Characteristics
Fig 11. Forward Characteristic of
Reverse Diode
Fig 12. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
0.2
0.45
0.7
0.95
1.2
-50
0
100
150
T
j
, Junction Temperature (
o
C )
V
G
(
0.01
0.1
1
10
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
SD
(V)
I
S
T
j
=25
o
C
T
j
=150
o
C
10
100
1000
1
5
9
13
17
21
25
V
DS
(V)
C
f=1.0MHz
Ciss
Coss
Crss
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
V
G
I
D
=18A
V
DS
=15V
V
DS
=18V
V
DS
=10V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AP9916J | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| AP9918H | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9918J | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9920GEO | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9922EO | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AP9916J | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| AP9918GH | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:Low on-resistance, Capable of 2.5V gate drive |
| AP9918GJ | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:Low on-resistance, Capable of 2.5V gate drive |
| AP9918H | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9918J | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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