參數(shù)資料
型號： AP9585H
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
英文描述： Benchtop Air Ionizer
中文描述： P溝道增強(qiáng)型
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： AP9585H
AP9585H/J
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DS
90%
V
GS
10%
Q
V
G
-4.5V
Q
GS
Q
GD
Q
G
Charge
0
2
4
6
8
10
12
0
10
20
30
40
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
-
G
I
D
=-6A
V
DS
=-64V
10
100
1000
10000
1
5
9
13
17
21
25
29
-V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
C
f=1.0MHz
C
iss
C
oss
C
rss
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
1000
-V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
(
T
C
=25
o
C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
DC
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t , Pulse Width (s)
N
t
)
P
DM
Duty factor = t/T
Peak T
j
= P
DM
x R
thjc
+ T
C
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
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PDF描述
AP9585J P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
AP9585M P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
AP95T07GP N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9620GM P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9620M P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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參數(shù)描述
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