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參數(shù)資料
| 型號： | AP9563J |
| 廠商： | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| 中文描述： | P溝道增強(qiáng)型 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | AP9563J |
AP9563H/J
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristic of
Reverse Diode
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
10
12
14
-V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
T
A
=25
o
C
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
V
G
=-3.0V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
2
4
6
8
10
12
14
-V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
V
G
=-3.0V
T
A
=150
o
C
30
34
38
42
46
3
5
7
9
11
-V
GS
, Gate-to-Source Voltage (V)
R
D
Ω
)
I
D
=-12A
T
C
=25
℃
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
0
50
100
150
T
j
, Junction Temperature (
o
C)
N
D
I
D
=-16A
V
G
=-10V
0.5
1
1.5
2
2.5
-50
0
50
100
150
T
j
, Junction Temperature (
o
C)
-
G
0
1
2
3
4
5
6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
, Source-to-Drain Voltage (V)
-
S
(
T
j
=25
o
C
T
j
=150
o
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AP9564GM | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9575GI | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9575H | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| AP9575J | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| AP9575M | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AP9563M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9564GM | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9565 | 功能描述:電源排插 Rack PDU Basic 1U 16A 208/230V RoHS:否 制造商:Wiremold 出口數(shù)量: 浪涌能量額定值: 數(shù)據(jù)線路保護(hù):N 電線長度:15 ft 安裝風(fēng)格: 輸出電壓:120 V 電流額定值:15 A |
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