參數(shù)資料
型號(hào)： AP9563J
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
英文描述： P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
中文描述： P溝道增強(qiáng)型
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： AP9563J
Advanced Power
Electronics Corp.
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
▼
Lower On-resistance
BV
DSS
R
DS(ON)
I
D
-40V
40m
Ω
-26A
▼
Simple Drive Requirement
▼
Fast Switching Characteristic
Description
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25
℃
I
D
@T
C
=100
℃
I
DM
P
D
@T
C
=25
℃
Linear Derating Factor
Storage Temperature Range
Units
V
V
A
A
A
W
W/
℃
T
STG
T
J
℃
℃
Symbol
Value
2.8
110
Units
℃
/W
℃
/W
Rthj-c
Rthj-a
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max.
Max.
Data and specifications subject to change without notice
-55 to 150
Thermal Data
Parameter
Total Power Dissipation
Operating Junction Temperature Range
44.6
0.36
-55 to 150
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
1
-16
-64
200227041
AP9563H/J
Rating
-40
±25
-26
G
D
S
GDS
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
The TO-252 package is universally preferred for all commercial-
industrial surface mount applications and suited for low voltage
applications such as DC/DC converters. The through-hole version
(AP9563J) is available for low-profile applications.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AP9564GM P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9575GI P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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參數(shù)描述
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