參數(shù)資料
型號： AP2306N
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述： N溝道增強型功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： AP2306N
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Circuit
Fig 12. Gate Charge Circuit
AP2306N
0
2
4
6
8
10
12
14
0
5
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
10
15
20
25
V
G
V
DS
=16V
I
D
=5.3A
10
100
1000
1
5
9
13
17
21
25
29
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
C
f=1.0MHz
Ciss
Coss
Crss
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(
T
A
=25
o
C
Single Pulse
1s
1ms
10ms
100ms
DC
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t , Pulse Width (s)
N
t
)
0.01
0.05
0.1
0.2
DUTY=0.5
Single Pulse
P
DM
Duty factor = t/T
Peak T
j
= P
DM
x R
thja
+ T
a
Rthja = 270
℃
t
T
/W
0.75x RATED
V
TO THE
OSCILLOSCOPE
-
+
10 V
D
G
S
V
DS
V
GS
R
G
R
D
0.5 x RATED V
DS
TO THE
OSCILLOSCOPE
-
+
D
G
S
V
DS
V
GS
I
D
I
G
1~ 3 mA
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