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參數(shù)資料
| 型號： | AO4404B |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | AO4404B |
AO4404B
Symbol
STATIC PARAMETERS
Drain-Source Breakdown Voltage
Min
Typ
Max
Units
BV
DSS
30
V
0.002
1
5
T
J
=55°C
I
GSS
V
GS(th)
I
D(ON)
100
1.5
nA
V
A
0.7
40
1
18
25
22
32
26
0.71
24
30
30
48
T
J
=125°C
m
m
g
FS
V
SD
I
S
DYNAMIC PARAMETERS
10
S
V
A
1
4.5
C
iss
C
oss
C
rss
R
g
SWITCHING PARAMETERS
Total Gate Charge
Gate Source Charge
Gate Drain Charge
900
88
65
0.95
1100
pF
pF
pF
1.5
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(on)
t
r
t
D(off)
t
f
t
rr
Q
rr
10
1.8
3.75
3.2
3.5
21.5
2.7
16.8
8
12
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
20
12
ns
nC
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
Gate resistance
V
GS
=0V, V
DS
=0V, f=1MHz
m
V
GS
=4.5V, I
D
=8.5A
V
GS
=2.5V, I
D
=5A
I
S
=1A,V
GS
=0V
V
DS
=5V, I
D
=5A
Turn-Off Fall Time
Maximum Body-Diode Continuous Current
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On DelayTime
Turn-On Rise Time
Turn-Off DelayTime
I
F
=5A, dI/dt=100A/
μ
s
I
F
=5A, dI/dt=100A/
μ
s
V
GS
=0V, V
DS
=15V, f=1MHz
V
GS
=4.5V, V
DS
=15V, I
D
=8.5A
V
GS
=10V, V
DS
=15V, R
L
=1.8
,
R
GEN
=6
R
DS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transconductance
Diode Forward Voltage
I
DSS
μ
A
Gate Threshold Voltage
On state drain current
V
DS
=V
GS
I
D
=250
μ
A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
=10V, I
D
=8.5A
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body leakage current
Electrical Characteristics (T
J
=25°C unless otherwise noted)
Parameter
Conditions
Body Diode Reverse Recovery Time
Body Diode Reverse Recovery Charge
A: The value of R
θ
JA
is measured with the device mounted on 1in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with
T
A
=25°C. The value in any given application depends on the user's specific board design.
B: Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.
C. The R
θ
JA
is the sum of the thermal impedence from junction to lead R
θ
JL
and lead to ambient.
D. The static characteristics in Figures 1 to 6 are obtained using <300
μ
s pulses, duty cycle 0.5% max.
E. These tests are performed with the device mounted on 1 in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T
curve provides a single pulse rating.
F. The current rating is based on the t
≤
10s junction to ambient thermal resistance rating.
Rev0: Feb 2007
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
A
=25°C. The SOA
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4404 | Circular Connector; No. of Contacts:26; Series:MS27656; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:17; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:17-26 RoHS Compliant: No |
| AO4407A | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4407 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4407L | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4409 | Circular Connector; No. of Contacts:26; Series:MS27656; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:17; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle RoHS Compliant: No |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AO4404B_11 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET |
| AO4404BL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| AO4404BL_101 | 功能描述:MOSFET N-CH 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.5A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.45V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:630pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 8.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| AO4405 | 制造商:AOS 功能描述:MOSFET |
| AO4405E | 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 30V 6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:16nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:495pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
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