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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29PL320DB70RWPI |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 32 Megabit (2 M x 16-Bit/1 M x 32-Bit) CMOS 3.0 Volt-only High Performance Page Mode Flash Memory |
| 中文描述： | 1M X 32 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA84 |
| 封裝： | 11 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-84 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 40/50頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 947K |
| 代理商： | AM29PL320DB70RWPI |
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38
Am29PL320D
October 2, 2003
AC CHARACTERISTICS
Program/Erase Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
Description
Speed Options
Unit
JEDEC
Std
60R
70R, 70
90
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
60
70
90
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
35
45
45
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
30
35
45
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
35
35
35
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
25
30
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Word
Typ
14.3
μs
Double
Word
Typ
18.3
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
5
sec
t
VCS
V
CC
Setup Time (Note 1)
Min
50
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29PL320DT60RWPI | 32 Megabit (2 M x 16-Bit/1 M x 32-Bit) CMOS 3.0 Volt-only High Performance Page Mode Flash Memory |
| AM29PL320DT70RWPI | 32 Megabit (2 M x 16-Bit/1 M x 32-Bit) CMOS 3.0 Volt-only High Performance Page Mode Flash Memory |
| AM2D-0505DH30-N | 2 watt dc-dc converters |
| AM2D-0505D-N | 2 watt dc-dc converters |
| AM2D-0505SH30-N | 2 watt dc-dc converters |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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