參數(shù)資料
型號： AM29BDS640G
廠商： Spansion Inc.
英文描述： 64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory
中文描述： 64兆位（4個M x 16位）的CMOS 1.8伏，只有同時讀/寫，突發(fā)模式閃存
文件頁數(shù)： 41/65頁
文件大?。?/td> 899K
代理商： AM29BDS640G
October 31, 2002
Am29BDS640G
45
AD V A NCE
INF O R M A T IO N
AC CHARACTERISTICS
Asynchronous Read
Notes:
1. Asynchronous Access Time is from the last of either stable addresses or the falling edge of AVD#.
2. Not 100% tested.
Note: RA = Read Address, RD = Read Data.
Figure 18.
Asynchronous Mode Read with Latched Addresses
Parameter
Description
D3, D4
D8, D9
C3, C4
C8, C9
Unit
JEDEC
Standard
tCE
Access Time from CE# Low
Max
70
90
ns
tACC
Asynchronous Access Time (Note 1)
Max
70
90
ns
tAVDP
AVD# Low Time
Min
12
ns
tAAVDS
Address Setup Time to Rising Edge of AVD
Min
5
ns
tAAVDH
Address Hold Time from Rising Edge of AVD
Min
7
ns
tOE
Output Enable to Output Valid
Max
13.5
20
ns
tOEH
Output Enable Hold
Time
Read
Min
0
ns
Toggle and
Data# Polling
Min
10
ns
tOEZ
Output Enable to High Z (Note 2)
Max
10
10.5
ns
tCAS
CE# Setup Time to AVD#
Min
0
ns
tCE
WE#
A21-A0
CE#
OE#
Valid RD
tACC
tOEH
tOE
DQ15-DQ0
tOEZ
tAAVDH
tAVDP
tAAVDS
AVD#
RA
tCAS
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PDF描述
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AM29DS323DT110EI Hex Inverters 14-TSSOP -40 to 85
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參數(shù)描述
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