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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Am29BDD160GB65A |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 16 Megabit (1 M x 16-bit/512 K x 32-Bit), CMOS 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/Write Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（1 M中的x 16-bit/512畝× 32位），2.5伏的CMOS只突發(fā)模式，雙啟動(dòng)，同步讀/寫閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 68/80頁 |
| 文件大?。?/td> | 3476K |
| 代理商： | AM29BDD160GB65A |
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66
Am29BDD160G
AC CHARACTERISTICS
Erase/Program Operations
Note:
1.
2.
Not 100% tested.
See the section for more information.
Parameter
Description
All Speed Options
Unit
JEDEC
Std.
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
60
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
25
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup to WE# Rising Edge
Min
15
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold from WE# Rising Edge
Min
2
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
CE# Setup to CLK
Min
7
t
WLWH
t
WP
WE# Width
Min
25
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Typ
9
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.5
sec.
t
VC
S
VCC Setup Time (Note 1)
Min
50
μs
t
RB
Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
t
BUSY
RY/BY# Delay After WE# Rising Edge
Max
90
ns
t
WPWS
WP# Setup to WE# Rising Edge with
Command
Min
20
ns
t
WPRH
WP# Hold after RY/BY# Rising Edge
Max
2
ns
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PDF描述 |
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