參數(shù)資料
型號： AGR19180EF
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大小： 410K
代理商： AGR19180EF
180 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
F
E
0
8
1
9
1
R
G
A
Typical Performance Characteristics (continued)
Figure 4. Two-Tone Power Gain versus Output Power
Figure 5. Third Order Intermodulation Distortion versus Output Power
12
13
14
15
16
17
18
0
1
0
1
0
1
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Gps
,P
OW
ER
GA
IN
(d
B)
Vdd = 28V
Center Frequency = 1960 MHz
Two-Tone Measurement, 100kHzTone Spacing
Idq = 2000mA
Idq = 2400mA
Idq = 1600mA
Idq = 1200mA
Idq = 800mA
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
1
0
1
0
1
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
IM3
,T
HI
RD
OR
DE
R
IN
TE
RMO
DU
LA
TI
ON
DI
ST
OR
TI
ON
(d
Bc
)
Vdd = 28V
Center Frequency = 1960 MHz
Two-Tone Measurement, 100kHz Tone Spacing
Idq = 2400mA
Idq = 800mA
Idq =1200mA
Idq =2000mA
Idq =1600mA
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PDF描述
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