參數(shù)資料
型號(hào)： 7MBR50SD120
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： 晶閘管
英文描述： 50 A, 1600 V, SCR
封裝： MODULE-38
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大?。?/td> 427K
代理商： 7MBR50SD120
IGBT Module
7MBR50SD120
01
2
3
45
0
10
20
30
40
50
60
8V
10V
12V
15V
VGE= 20V
[ Brake ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
Tj= 25°C (typ.)
C
o
lle
c
to
rc
u
rr
e
n
t
:
Ic
[
A
]
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
01
2
3
45
0
10
20
30
40
50
60
8V
10V
12V
15V
VGE= 20V
[ Brake ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
Tj= 125°C (typ.)
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
C
o
lle
c
to
rc
u
rr
e
n
t
:
Ic
[
A
]
01
2
3
45
0
10
20
30
40
50
60
Tj= 25°C
Tj= 125°C
[ Brake ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
VGE=15V (typ.)
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
C
o
lle
c
to
rc
u
rr
e
n
t
:
Ic
[
A
]
5
10152025
0
2
4
6
8
10
Ic= 12.5A
Ic= 25A
Ic= 50A
[ Brake ]
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage
Tj= 25°C (typ.)
C
o
lle
c
to
r
-
E
m
itt
e
r
v
o
lt
a
g
e
:
V
C
E
[V
]
Gate - Emitter voltage : VGE [ V ]
0
5
10
15
20
25
30
35
100
1000
10000
[ Brake ]
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25°C
C
a
p
a
c
itan
c
e
:
C
ie
s
,C
o
e
s
,C
re
s
[
p
F
]
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
Coes
Cres
Cies
0
50
100
150
200
250
0
200
400
600
800
1000
[ Brake ]
Dynamic Gate charge (typ.)
Vcc=600V, Ic=25A, Tj= 25°C
Gate charge : Qg [ nC ]
C
o
lle
c
to
r
-
E
m
itt
e
r
v
o
lt
a
g
e
:
V
C
E
[V
]
0
5
10
15
20
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G
a
te
-
Em
it
te
rv
o
lt
a
g
e
:
VG
E
[
V
]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
7P002FLV2101I25 1M X 16 FLASH 3V PROM CARD, 250 ns, XMA68
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7P008FLV2401I25 4M X 16 FLASH 3V PROM CARD, 250 ns, XMA68
7P016FLV2201C15 8M X 16 FLASH 3V PROM CARD, 150 ns, XMA68
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