參數(shù)資料
型號： 7MBR30UF060
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Power Integrated Module
中文描述： 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-34
文件頁數(shù)： 6/16頁
文件大?。?/td> 1014K
代理商： 7MBR30UF060
D
H04-004-03a
MS6M00816
6/16
T
D
o
f
F
FujiElectricDeviceTechnologyCo.,Ltd.
6.
Electrical characteristics ( at Tj= 25
o
C unless otherwise specified)
Characteristics
min.
typ.
Items
Symbols
Conditions
Max.
Units
Zero gate voltage
Collector current
Gate-Emitter leakage current
Gate-Emitter
threshold voltage
I
CES
V
GE
=
0 V, V
CE
= 600 V
-
-
1.0
mA
I
GES
V
CE
=
0 V, V
GE
=
±
20 V
-
-
200
nA
V
GE(th)
V
CE
=
20 V, Ic =
30 mA
4.5
6.0
7.5
V
V
CE(sat)
(Terminal) V
GE
=
V
CE(sat)
(Chip)
Cies
Tj=25
℃
-
-
-
-
1.75
2.10
1.60
1.95
2.15
2.50
2.00
2.35
Collector-Emitter
saturation voltage
15 V, Tj=125
℃
30 A Tj=25
℃
Tj=125
℃
Ic =
Input capacitance
V
GE
=
f =
Vcc=
Ic =
V
GE
=
R
G
=
0 V, V
CE
=
1 MHz
300 V
30 A
±15 V
68
10 V
-
3000
-
pF
Turn-on time
ton
tr
tr
(i)
toff
tf
V
F
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.30
0.08
0.05
0.40
0.05
1.95
2.05
1.80
1.90
-
1.20
0.60
-
1.00
0.35
2.55
2.65
2.40
2.50
300
s
Turn-off time
Forward on voltage
Tj=25
℃
Tj=125
℃
Tj=25
℃
Tj=125
℃
(Terminal)
VF
(Chip)
trr
Reverse recovery time
Zero gate voltage
Collector current
Gate-Emitter leakage current
Gate-Emitter
threshold voltage
Collector-Emitter
IF =
30 A
-
ns
I
CES
V
GE
=
0 V, V
CE
= 600 V
-
-
1.0
mA
I
GES
V
CE
=
0 V, V
GE
=
±
20 V
-
-
200
nA
V
GE(th)
V
CE
=
20 V, Ic =
15 mA
4.5
6.0
7.5
V
V
CE(sat)
(Terminal) V
GE
=
V
CE(sat)
(Chip)
Cies
Tj=25
℃
-
-
-
-
1.95
2.35
1.85
2.25
2.45
2.85
2.35
2.75
15 V, Tj=125
℃
20 A Tj=25
℃
Tj=125
℃
Ic =
saturation voltage
Input capacitance
V
GE
=
f =
Vcc=
Ic =
V
GE
=
R
G
=
IF =
V
R
=
0 V, V
CE
=
1 MHz
300 V
20 A
±15 V
150
20 A
600 V
10 V
-
1500
-
pF
Turn-on time
ton
tr
toff
tf
trr
I
RRM
V
FM
-
-
-
-
0.35
0.12
0.40
0.05
-
-
1.1
1.2
-
5000
495
1.20
0.60
1.00
0.35
350
1.00
-
1.5
1.0
5250
-
Turn-off time
Reverse recovery time
Reverse current
Forward on voltage
-
-
-
-
ns
mA
chip
terminal
Reverse current
I
RRM
V
R
=
T = 25
o
C
T =100
o
C
T = 25/50
o
C
800 V
-
mA
Resistance
R
4750
-
B value
B
3305
3375
3450
K
V
Ω
I
F
=
30A
IF =
30 A
V
V
V
s
I
C
T
B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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7MBR35SB120 IGBT(1200V/35A/PIM)
7MBR35SB-120 IGBT Module
7MBR35SB140-01 IGBT Module
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