參數(shù)資料
型號(hào)： 7MBR30UF060
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Power Integrated Module
中文描述： 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-34
文件頁(yè)數(shù)： 14/16頁(yè)
文件大?。?/td> 1014K
代理商： 7MBR30UF060
D
H04-004-03a
MS6M00816
14/16
T
D
o
f
F
FujiElectricDeviceTechnologyCo.,Ltd.
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
5
[ Brake ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
Tj= 25
o
C (typ.) / chip
C
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
9V
11V
13V
15V
VGE=20V
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
5
[ Brake ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
Tj= 125
o
C (typ.) / chip
C
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
9V
11V
13V
15V
VGE=20V
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
5
[ Brake ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
VGE=15V (typ.) / chip
C
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
Tj=25
o
C
Tj=125
o
C
2
4
6
8
10
10
15
20
[ Brake ]
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage
Tj= 25
o
C (typ.) / chip
C
Gate - Emitter voltage : VGE [ V ]
10A
20A
Ic=40A
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
35
[ Brake ]
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25
o
C
C
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
Cies
Cres
Coes
0
100
200
300
400
500
0
5
10
15
20
25
0
20
40
60
80
100
120
Dynamic Gate charge (typ.)
Vcc=300V, Ic=15A, Tj= 25
o
C
C
G
Gate charge : Qg [ nC ]
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PDF描述
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7MBR35SB120 IGBT(1200V/35A/PIM)
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參數(shù)描述
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