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參數(shù)資料
| 型號： | 73S1210F-68M/F/PG |
| 廠商： | Maxim Integrated |
| 文件頁數(shù)： | 24/126頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC SOC SMART CARD READER 68QFN |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 260 |
| 系列： | * |
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73S1210F Data Sheet
DS_1210F_001
12
Rev. 1.4
specific SFR registers in the proper sequence. These special pattern/sequence requirements prevent
inadvertent erasure of the flash memory.
The mass erase sequence is:
1.
Write 1 to the FLSH_MEEN bit in the FLSHCTL register (SFR address 0xB2[1]).
2.
Write pattern 0xAA to ERASE (SFR address 0x94).
Note: The mass erase cycle can only be initiated when the ICE port is enabled.
The page erase sequence is:
1.
Write the page address to PGADDR (SFR address 0xB7[7:1]).
2.
Write pattern 0x55 to ERASE (SFR address 0x94).
The PGADDR register denotes the page address for page erase. The page size is 512 (200h) bytes and
there are 128 pages within the flash memory. The PGADDR denotes the upper seven bits of the flash
memory address such that bit 7:1 of the PGADDR corresponds to bit 15:9 of the flash memory address.
Bit 0 of the PGADDR is not used and is ignored. The MPU may write to the flash memory. This is one of
the non-volatile storage options available to the user. The FLSHCTL SFR bit FLSH_PWE (flash program
write enable) differentiates 80515 data store instructions (MOVX@DPTR,A) between Flash and XRAM
writes. Before setting FLSH_PWE, all interrupts need to be disabled by setting EAL = 1. Table 3 shows
the location and description of the 73S1210 flash-specific SFRs.
Any flash modifications must set the CPUCLK to operate at 3.6923 MHz (MPUCLKCtl = 0x0C)
before any flash memory operations are executed to insure the proper timing when modifying the
flash memory.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 73S1210F-68MR/F/PH | IC SOC SMART CARD READER 68QFN |
| FQD1N80TM | MOSFET N-CH 800V 1A DPAK |
| 73S1210F-68MR/F/PG | IC SOC SMART CARD READER 68QFN |
| XRCWHT-L1-0000-00601 | LED COOL WHITE 500MA 7X9 SMD |
| 73S1210F-44M/F/PC | IC SOC SMART CARD READER 44QFN |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 73S1210F-68MR/F/PG | 功能描述:8位微控制器 -MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
| 73S1210F-68MR/F/PH | 功能描述:8位微控制器 -MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
| 73S1210F-68MR/F/PJ | 功能描述:80515 73S12xx Microcontroller IC 8-Bit 24MHz 32KB (32K x 8) FLASH 68-QFN (8x8) 制造商:maxim integrated 系列:73S12xx 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):要求報價 核心處理器:80515 核心尺寸:8-位 速度:24MHz 連接性:I2C，智能卡，UART/USART 外設(shè):LED，POR，WDT I/O 數(shù):8 程序存儲容量:32KB（32K x 8） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 容量:- RAM 容量:2K x 8 電壓 - 電源（Vcc/Vdd）:2.7 V ~ 6.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器類型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:68-VFQFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:68-QFN（8x8） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 |
| 73S1210F-EB | 功能描述:開發(fā)板和工具包 - 8051 73S1210F Eval Brd (Doc. Cd, Cable) RoHS:否 制造商:Silicon Labs 產(chǎn)品:Development Kits 工具用于評估:C8051F960, Si7005 核心: 接口類型:USB 工作電源電壓: |
| 73S1210F-EB-Lite | 功能描述:開發(fā)板和工具包 - 8051 73S1210F Eval Brd Lite w/Doc Cd, Cable RoHS:否 制造商:Silicon Labs 產(chǎn)品:Development Kits 工具用于評估:C8051F960, Si7005 核心: 接口類型:USB 工作電源電壓: |
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