參數(shù)資料
型號(hào)： 71V25761S183PF8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 128K X 36 CACHE SRAM, 3.3 ns, PQFP100
封裝： 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 8/22頁(yè)
文件大?。?/td> 618K
代理商： 71V25761S183PF8
6.42
16
IDT71V25761, IDT71V25781, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
NOTES:
1.
ZZ
input
is
LOW,
GW
is
HIGH
and
LBO
is
Don't
Care
for
this
cycle.
2.
O4
(Aw)
represents
the
final
output
data
in
the
burst
sequence
of
the
base
address
Aw.
I1
(Ax)
represents
the
first
input
fr
om
the
external
address
Ax.
I1
(Ay)
represents
the
first
input
from
the
external
address
Ay;
I2
(Ay)
represent
the
next
input
data
in
the
burst
sequence
of
the
base
address
Ay,
etc.
where
A0
and
A1
a
re
advancing
for
the
four
word
burst
in
the
sequence
defined
by
the
state
of
the
LBO
input.
In
the
case
of
input
I2
(Ay)
this
data
is
valid
for
two
cycles
because
ADV
is
high
and
has
suspended
the
burst.
3.
C
S
0timing
transitions
are
identical
but
inverted
to
the
CE
and
CS
1
signals.
For
example,
when
CE
and
CS
1are
LOW
on
this
waveform,
CS
0is
HIGH.
Timing Waveform of Write Cycle No. 2 — Byte Controlled(1,2,3)
A
D
R
E
S
C
L
K
A
D
S
P
A
D
S
C
tC
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I3
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z
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O
3
(A
w
)
5
2
9
7
d
rw
1
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
71V3557SA75BGI8 128K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119
71V3557SA85BG8 128K X 36 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA119
71V67703S75BQ 256K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165
72-30-33 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
72-40-43 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
71V25761S183PFG 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
71V25761S183PFG8 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
71V25761S183PFGI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
71V25761S183PFGI8 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mb PB靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
71V25761S200BG 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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