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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 71V25761S183PF8 |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 128K X 36 CACHE SRAM, 3.3 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/22頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 618K |
| 代理商： | 71V25761S183PF8 |
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6.42
IDT71V25761, IDT71V25781, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
13
NOTES:
1.
O1
(Ax)
represents
the
first
output
from
the
external
address
Ax.
O1
(Ay)
represents
the
first
output
from
the
external
addr
ess
Ay;
O2
(Ay)
represents
the
next
output
data
in
the
burst
sequence
of
the
base
address
Ay,
etc.
where
A0
and
A1
are
advancing
for
the
four
word
burst
in
the
sequence
defined
by
the
state
of
the
LBO
input.
2.
ZZ
input
is
LOW
and
LBO
is
Don't
Care
for
this
cycle.
3.
C
S
0timing
transitions
are
identical
but
inverted
to
the
CE
and
CS
1
signals.
For
example,
when
CE
and
CS
1are
LOW
on
this
waveform,
CS
0is
HIGH.
Timing Waveform of Pipeline Read Cycle(1,2)
tC
H
Z
tS
A
tS
C
tH
S
G
W
,B
W
E
,B
W
x
tS
W
tC
L
tS
A
V
tH
W
tH
A
V
C
L
K
A
D
S
C
(1
)
A
D
R
E
S
tC
Y
C
tC
H
tH
A
tH
C
tO
E
tO
H
Z
O
E
tC
D
tO
L
Z
O
1
(A
x
)
D
A
T
A
O
U
T
tC
D
C
O
1
(A
y
)
O
3
(A
y
)
O
2
(A
y
)
O
2
(A
y
)
tC
L
Z
A
D
V
C
E
,
C
S
1
(N
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te
3
)
P
ip
e
lin
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R
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S
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rw
0
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S
P
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V
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IG
H
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s
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s
b
u
rs
t
,
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 71V3557SA75BGI8 | 128K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| 71V3557SA85BG8 | 128K X 36 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA119 |
| 71V67703S75BQ | 256K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| 72-30-33 | 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR |
| 72-40-43 | 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 71V25761S183PFG | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| 71V25761S183PFG8 | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| 71V25761S183PFGI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| 71V25761S183PFGI8 | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mb PB靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| 71V25761S200BG | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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