參數(shù)資料
型號： 6AM11
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array(N溝道/P溝道功率MOSFET陣列)
中文描述： 硅N-Channel/P-Channel功率MOS FET陣列（不適用溝道/頁溝道功率MOSFET的陣列）
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： 6AM11
6AM11
2
Outline
SP-12
1.
2, 8, 9
3, 7, 10.
4, 6, 11.
5, 12.
5
S
12
S
11
G
6
G
9
G
8
G
S
1
4 G
Pch
Nch
2 G
D 10
D 7
D 3
N-ch Source
N-ch Gate
N-ch Drain
P-ch Drain
P-ch Gate
P-ch Source
123456789101112
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C) (1 Unit)
Ratings
Item
Symbol
Nch
Pch
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
I
DR
Pch (Tc = 25°C)*
60
–60
V
Gate to source voltage
±20
±20
V
Drain current
5
–5
A
Drain peak current
1
20
–20
A
Body to drain diode reverse drain current
5
–5
A
Channel dissipation
2
36
W
Pch*
2
4.8
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Notes 1. PW
≤
10 μs, duty cycle
≤
1%
2. 6 Device Operation
Tstg
–55 to +150
°C
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PDF描述
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