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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3349 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
| 中文描述： | 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速開(kāi)關(guān) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 2SK3349 |
2SK3349
5
0.2
0.16
0.12
0.08
0.04
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V = 0,-5V
5 V
Pulse Test
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance
vs. Drain to Source Voltage
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
Reverse Drain Current
vs. Source to Drain Voltage
10 V
10000
1000
100
10
0.01
0.1
0.02
tf
0.05
d(on)
t
r
d(off)
t
V = 2.5 V, V = 10 V
PW = 5 μs, duty < 1 %
0
4
8
12
16
20
10
1.0
0.1
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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