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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3349 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
| 中文描述： | 硅?通道場效應(yīng)晶體管高速開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 2SK3349 |
2SK3349
4
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
4
6
8
10
0.01
0.05
0.02
Drain Current I (A)
50
20
10
2
5
1.0
0.5
10
8
6
4
2
–40
0
40
80
120
160
0
0.1
I = 50mA
25m A
Pulse Test
Pulse Test
V = 4V
2.5 V
Pulse Test
V = 2.5 V
I = 25m A
4 V
Gate to Source Voltage V (V)
Drain to Source Satueation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
V
D
D
(
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
Case Temperature Tc (°C)
S
(
D
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
10m A
10mA
10,25,50m A
0.001
0.002
Drain Current I (A)
0.005
0.1
0.5
0.2
0.1
0.02
0.05
0.01
0.005
25 °C
Tc = –25 °C
75 °C
V = 10 V
Pulse Teat
|
F
S
D
R
R
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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