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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3349 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
| 中文描述： | 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速開(kāi)關(guān) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 39K |
| 代理商： | 2SK3349 |
2SK3349
3
Main Characteristics
0.1
1.0
10
50
0.2
0.16
0.12
0.08
0.04
0
2
4
6
8
10
0.2
0.16
0.12
0.08
0.04
0
1
2
3
4
5
200
150
100
50
0
50
100
150
200
V = 2V
Tc = –25 °C
75 °C
Pulse Test
V = 10 V
Pulse Test
5
1.0
0.5
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
0.0005
(1sho)
DCOpeaion
4 V
5 V
25 °C
Drain to Source Voltage V (V)
Maximum Safe Operation Area
D
D
Typical Output Characteristics
Drain to Source Voltage V (V)
Gate to Source Voltage V (V)
Typical Transfer Characteristics
Operation in this area
is limited by RDS(on)
C
Ambient Temperature Ta ( °C)
Power vs. Temperature Derating
D
D
D
D
3 V
10 μs
100 μs
1 ms
Value on the alumina ceramic boad.(12.5x20x0.7mm)
*Value on the alumina ceramic boad.(12.5x20x0.7mm)
0.002
0.02
0.2
2
0.05
0.2
0.5
2
5
20
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