參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2744
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 45 A, 50 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： 2-16C1B, SC-65, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 116K
代理商： 2SK2744
2SK2744
2004-07-01
1
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSV)
2SK2744
Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive
Applications
4-V gate drive
Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 15 m (typ.)
High forward transfer admittance: |Yfs| = 27 S (typ.)
Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 50 V)
Enhancement mode: Vth = 1.5~3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Maximum Ratings (Ta
= 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Drain-source voltage
VDSS
50
V
Drain-gate voltage (RGS = 20 k)
VDGR
50
V
Gate-source voltage
VGSS
±20
V
DC
(Note 1)
ID
45
Drain current
Pulse
(Note 1)
IDP
180
A
Drain power dissipation (Tc
= 25°C)
PD
125
W
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
EAS
95
mJ
Avalanche current
IAR
45
A
Repetitive avalanche energy
(Note 3)
EAR
12.5
mJ
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55~150
°C
Thermal Characteristics
Characteristics
Symbol
Max
Unit
Thermal resistance, channel to case
Rth (ch-c)
1.0
°C/W
Thermal resistance, channel to ambient
Rth (ch-a)
50
°C/W
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.
Note 2: VDD = 25 V, Tch = 25°C (initial), L = 58 H, RG = 25 , IAR = 45 A
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum junction temperature
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.
Unit: mm
1. GATE
2. DRAIN (HEAT SINK)
3. SOURSE
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
216C1B
Weight: 4.6 g (typ.)
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PDF描述
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