參數(shù)資料
型號： 2SK2719
元件分類： JFETs
英文描述： 3 A, 900 V, 4.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： 2-16C1B, SC-65, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 208K
代理商： 2SK2719
2SK2719
2004-07-06
4
Case temperature Tc (°C)
RDS (ON) – Tc
Drain
-s
o
urc
eO
N
res
istanc
e
R
DS
(O
N
)
(
)
Drain-source voltage VDS (V)
IDR – VDS
Drain
re
ve
rs
ec
ur
re
nt
I DR
(
A
)
Gate
th
res
hol
dvol
ta
ge
V
th
(
V
)
Drain-source voltage VDS (V)
Capacitance – VDS
C
apaci
tanc
e
C
(p
F)
Case temperature Tc (°C)
Vth – Tc
Drain
po
w
er
diss
ip
a
tion
P
D
(W
)
Case temperature Tc (°C)
PD – Tc
Gate
-so
ur
ce
vo
ltage
V
GS
(
V
)
Total gate charge Qg (nC)
Dynamic Input/Output Characteristics
Dr
ai
n-
so
ur
ce
vo
ltag
e
V
DS
(V
)
80
160
80
40
0
120
Common source
VDS = 10 V
ID = 1 mA
Pulse test
0
5
3
1
2
4
5
30
Common source
VGS = 0 V
f
= 1 MHz
Tc
= 25°C
Pulse test
100
1000
300
0.1
0.3
1
10
30
100
3
Crss
Coss
Ciss
10
50
500
2000
0
50
150
160
80
100
40
120
0
200
500
40
16
100
400
8
24
32
VDS
VGS
400
0
8
20
4
12
VDD = 100 V
200
Common source
Tc
= 25°C
ID = 3 A
Pulse test
16
300
3
0
Common source
Tc
= 25°C
Pulse test
5
10
VGS = 0, 1 V
3
0.2
0.6
0.8
1.0
1.2
10
0.01
0.05
5
0.5
0.03
1
0.4
0.3
1
0.1
0
80
160
40
80
120
Common source
VGS = 10 V
Pulse test
1.5
0
4
8
12
16
20
ID = 3 A
0.8
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