參數(shù)資料
型號： 2SK2729-E
元件分類： JFETs
英文描述： 20 A, 500 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SC-65, TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 190K
代理商： 2SK2729-E
Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7
2SK2729
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
REJ03G1027-0300
(Previous: ADE-208-455A)
Rev.3.00
Sep 07, 2005
Features
Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
Avalanche ratings
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A
(Package name: TO-3P)
1. Gate
2. Drain
(Flange)
3. Source
D
G
S
1
2
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK2730-E 25 A, 500 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2736-E 30 A, 30 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK2751-AL3-R 10 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK2776(2-10S2B) 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2776 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK2730-E 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Box 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Box
2SK2731T146 功能描述:MOSFET N-CH 30V 200MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SK2733(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 900V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220
2SK2735L(E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK2736(E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*