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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2685 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | GaAs HEMT |
| 中文描述： | 砷化鎵遷移率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | 2SK2685 |
2SK2685
6
S11 Parameter vs. Frequency
1
0.8
0.6
–1
–0.8
–0.6
–0.4
0.4
–0.2
0.2
0
1.5
–1.5
2
–2
–3
4
3
–4
5
–5
10
–10
0.2
0.4 0.6 0.8
2
3 4 5
10
1.0
1.5
∞
Condition : I
= 10 mA, Zo = 50
200 to 2000 MHz (200 MHz step)
(V
DS
= 1 V)
(V
DS
= 3 V)
S12 Parameter vs. Frequency
90
°
120
°
–90
°
–120
°
–60
°
150
°
–150
°
180
°
60
°
30
°
–30
°
0
°
Scale : 0.02/div.
Condition : I
= 10 mA, Zo = 50
200 to 2000 MHz (200 MHz step)
(V
DS
= 1 V)
(V
DS
= 3 V)
S21 Parameter vs. Frequency
90
°
120
°
–90
°
–120
°
–60
°
150
°
–150
°
180
°
60
°
30
°
–30
°
0
°
Scale : 2/div.
Condition : I
D
= 10 mA, Zo = 50
200 to 2000 MHz (200 MHz step)
(V
DS
= 1 V)
(V
DS
= 3 V)
S22 Parameter vs. Frequency
1
0.8
0.6
–1
–0.8
–0.6
–0.4
0.4
–0.2
0.2
0
1.5
–1.5
2
–2
–3
4
3
–4
5
–5
10
–10
0.2
0.4 0.6 0.8
2
3 4 5
10
1.0
1.5
∞
Condition : I
= 10 mA, Zo = 50
200 to 2000 MHz (200 MHz step)
(V
DS
= 1 V)
(V
DS
= 3 V)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2701 | MOSFET |
| 2SK2702 | MOSFET |
| 2SK2703 | MOSFET |
| 2SK2704 | MOSFET |
| 2SK2705 | MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2687-01 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7.5 Milliohms;ID +/-50A;TO-220;PD 60W;VGS +/ |
| 2SK2689-01MRSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK2690-01 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 7.5 Milliohms;ID +/-80A;TO-3P;PD 125W;VGS +/ |
| 2SK2690-01SC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK2691-01RSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
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